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PRODUCT触摸按键 FLASH
HS16F3612E 是接纳低耗高速 CMOS 工艺制造的 8 位单片机，它内建了4K 字的 FLASH、336Byte 的 SRAM，6 路带死区12 位 PWM（T2）及 1 个8 位准时器（TC1_RTC），含有可选择的触摸按键功效�？�，ADC �？榧� UART �？�。
产品概述
HS16F3612E 是接纳低耗高速 CMOS 工艺制造的 8 位单片机，它内建了4K 字的 FLASH、336Byte 的 SRAM，6 路带死区12 位 PWM（T2）及 1 个8 位准时器（TC1_RTC），含有可选择的触摸按键功效�？�，ADC �？榧� UART �？�。
产品详情
◆ 39 条 RISC 指令，除了跳转指令是两个周期，所有的指令都是单周期
◆ 兼容 PIC 指令
◆ 8 级深度硬件货仓
◆ 支持 GOTO 指令 2k 内 ROM 跳转、支持 2k 内 ROM 子程序挪用，凌驾 2k 需操作 PCLATH
◆ 4K 字的程序存储器
◆ 336 × 8 位通用寄存器
◆ 内置 256× 8 位 EEPROM
◆ 直接、间接寻址方法
◆ 1个可预分频器的8位计数器TMR0
◆ 1个可预分频器的8位RTC准时器/普通准时器TC1
◆ 1个可预分频的12位准时钟/计数器T2，可配置6路12位PWM
◆ 1个可预分频的12位准时钟/计数器T3，可配置2路12位PWM（相关寄存器bank需手动切换， 非须要不使用）
◆ 10 通道的触摸按键�？�
◆ 13 通道的 12 位 ADC �？�
◆ 1组独立UART串口，TX/RX可独立使用，且可映射差别端口，可加入叫醒
◆ 1组独立UART1串口，TX1/RX1可独立使用（相关寄存器bank需手动切换，非须要不使用）
◆ 内部上电复位电路（POR）、内置欠压复位（LVR）
◆ 上电复位准时器（PWRT）和振荡器启动准时器（OST）
◆ 3组18个I/O口(IOA/IOB/IOC)，可配置上拉、下拉和开漏等状态，IOC无开漏
◆ 4 种事情模式可任意切换：正常模式、低速模式、睡眠模式、绿色模式
◆ 叫醒睡眠：INT/INT1 管脚中断、PA/PB 的输入状态改变、TC1 溢出叫醒
◆ 叫醒绿色：INT/INT1 管脚中断、PA/PB 的输入状态改变、TC1 溢出叫醒、T2 溢出叫醒、T3 溢出叫醒、TK 叫醒
◆ 省电休眠模式，可编程代码�；�
◆ 可选的振荡器选项：内部高速振荡器、内部低速振荡器、外部低速晶体振荡器（LP）、外部 高速晶体振荡器（HS/XT）、RTC 模式
◆ 13 种可用中断：TMR0 溢出中断、TC1 溢出中断、T2 溢出中断、T3 溢出中断、PA/PB 端口 变革中断、INT0 中断、INT1 中断、TK 中断、ADC 中断、UART 收、发中断、UART1 收、发中断
◆ 宽事情电压规模：2.2V 至 5.5V
◆ 可支持 C编译，C仿真，可在线调试
◆ 8M/16M主频可选，且频率可软件配置
◆ 端口驱动2级可选
