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学习型电路

Part No.	VDD	Inbuilt RC	ROM	RAM	I/O	EEPROM	Key type	Package
HS23P4070	2.2~3.6V	8MHz±1.0%	4K	512	14	1024*8	T/M-KEY	SOP16
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HS23P35E	2.2~3.6V	8MHz±1.0%	8K	512	14	1024*8	T/M-KEY	SOP16
产品简介： HS23P35E是接纳高速低功耗CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包括一个16K16-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)，内置了红外学习电路。 CPU特性： ◆ 宽事情电压规模：2.2V~3.6V （8M 2分频）。 ◆ 事情温度规模：-20℃~80℃ ◆ 事情频率规模：内置RC 8MHz±2% 系统时钟源可配置选择：Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16 ◆ 16K16-bit片内ROM ◆ 可直接、间接寻址 ◆ 1个16位准时器TC0，做PWM、Buzzer时8位有效。 ◆ 1个16位基本准时器T1 ◆ 内置上电复位时间PWRT ◆ 内置WDT看门狗 ◆ 内置可校准IRC振荡器(8MHZ) ◆ 一个宁静位（代码寄存器中）�；こ绦虿槐欢脸� ◆ 512*8bits片内寄存器组（SRAM，一般寄存器） ◆ 3组双向I/O端口 ◆ 8级用于子程序嵌套的货仓 ◆ 节能模式（SLEEP模式） ◆ 6种可用中断：TC0、T0、外中断、P0_P1端口变革中断、P54端口变革中断、P50端口变革中断 ◆ 内置红外发射放大驱动电路 ◆ 内部上电复位电路(POR) ◆ 内置低电压检测（LVD），用于欠压复位（BOR）了解更多
HS23P36E	2.2~3.6V	8MHz±1.0%	8K*16	512	14	1024*8	T/M-KEY	SOP16
产品简介： HS23P36E是接纳高速低功耗CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包括一个16K16-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)，内置了红外学习电路。 CPU特性： ◆ 宽事情电压规模：2.2V~3.6V （8M 2分频）。 ◆ 事情温度规模：-20℃~80℃ ◆ 事情频率规模：内置RC 8MHz±2% 系统时钟源可配置选择：Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16 ◆ 16K16-bit片内ROM ◆ 可直接、间接寻址 ◆ 1个16位准时器TC0，做PWM、Buzzer时8位有效。 ◆ 1个16位基本准时器T1 ◆ 内置上电复位时间PWRT ◆ 内置WDT看门狗 ◆ 内置可校准IRC振荡器(8MHZ) ◆ 一个宁静位（代码寄存器中）�；こ绦虿槐欢脸� ◆ 512*8bits片内寄存器组（SRAM，一般寄存器） ◆ 3组双向I/O端口 ◆ 8级用于子程序嵌套的货仓 ◆ 节能模式（SLEEP模式） ◆ 6种可用中断：TC0、T0、外中断、P0_P1端口变革中断、P54端口变革中断、P50端口变革中断 ◆ 内置红外发射放大驱动电路 ◆ 内部上电复位电路(POR) ◆内置低电压检测（LVD），用于欠压复位（BOR）了解更多
HS23P37E	2.2~3.6V	8MHz±1.0%	8K	512	13	1024*8	T/M-KEY	SOP16
产品简介： HS23P37E是接纳高速低功耗CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包括一个16K16-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)，内置了红外学习电路。 CPU特性： ◆ 宽事情电压规模：2.2V~3.6V （8M 2分频）。 ◆ 事情温度规模：-20℃~80℃ ◆ 事情频率规模：内置RC 8MHz±2% 系统时钟源可配置选择：Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16 ◆ 16K16-bit片内ROM ◆ 可直接、间接寻址 ◆ 1个16位准时器TC0，做PWM、Buzzer时8位有效。 ◆ 1个16位基本准时器T1 ◆ 内置上电复位时间PWRT ◆ 内置WDT看门狗 ◆ 内置可校准IRC振荡器(8MHZ) ◆ 一个宁静位（代码寄存器中）�；こ绦虿槐欢脸� ◆ 512*8bits片内寄存器组（SRAM，一般寄存器） ◆ 3组双向I/O端口 ◆ 8级用于子程序嵌套的货仓 ◆ 节能模式（SLEEP模式） ◆ 6种可用中断：TC0、T0、外中断、P0_P1端口变革中断、P54端口变革中断、P50端口变革中断 ◆ 内置红外发射放大驱动电路 ◆ 内部上电复位电路(POR) ◆ 内置低电压检测（LVD），用于欠压复位（BOR）了解更多
HS23P46E	2.2~3.6V	8MHz±1.0%	16K*16	512	14	1024*8	T/M-KEY	SOP16
产品简介： HS23P46E 是接纳高速低功耗 CMOS 工艺制造的 8 位单片机，它内部包括一个 16K16-bit 的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM),一个 1K8-bit 的 E2PROM,且内置了红外学习电路。 CPU特性： ◆ 宽事情电压规模：2.0V~3.6V（8MHz、2 分频） ◆ 事情温度规模：-20℃~80℃ ◆ 事情频率规模： ◆ 内置 RC 8MHz±1.5% ◆ 系统时钟源可配置选择：Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16 ◆ 16K*16 位片内 ROM ◆ 可直接、间接寻址 ◆ 1 个 16 位准时器，做 PWM、Buzzer 及外部计数时 8 位有效。 ◆ TC0：外部事件计数器/PWM0/ Buzzer 输出。 ◆ 3 组标准双向 I/O 端口 ◆ 8 级用于子程序嵌套的货仓 ◆ 3 中可用中断 ◆ 2 个内部中断：TC0、T0 ◆ 4 个外部中断：INT0，P0_P1，P5.0，P5.4 ◆ 一个 16 位基本准时器 ◆ 内置红外发射放大驱动电路 ◆ 内部上电复位电路（POR） ◆ 内置低电压检测（LVD），用于欠压复位（BOR）了解更多
HS23P56E*	2.2~3.6V	8MHz±1.0%	32K*16	512	14	1024*8	T/M-KEY	SOP16
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HS23P4030	2.2~3.6V	8MHz±1.0%	4K	512	14	1024*8	T/M-KEY	SOP16
产品简介： HS23P4030是接纳高速低功耗CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包括一个4K16-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)，和一个1K8-bit的多次可编程电存储器(MTP)，内置了红外学习电路。 CPU特性： ◆ 宽事情电压规模：2.2V~3.6V （8M 2分频），MTP烧写和擦除是电压2.5v以上。 ◆ 事情温度规模：-20℃~80℃ ◆ 事情频率规模：内置RC 8MHz±2% 系统时钟源可配置选择：Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16、Fosc/32 ◆ 4K16-bit片内ROM ◆ 1K8-bit片内MTP ◆ 可直接、间接寻址 ◆ 1个16位准时器TC0，做PWM、Buzzer时8位有效。 ◆ 1个16位基本准时器T1 ◆ 内置上电复位时间PWRT ◆ 内置WDT看门狗 ◆ 内置可校准IRC振荡器(8MHZ) ◆ 一个宁静位（代码寄存器中）�；こ绦虿槐欢脸� ◆ 512*8bits片内寄存器组（SRAM，一般寄存器） ◆ 3组双向I/O端口 ◆ 8级用于子程序嵌套的货仓 ◆ 节能模式（SLEEP模式） ◆ 6种可用中断：TC0、T0、外中断、P0_P1端口变革中断、P54端口变革中断、P50端口变革中断 ◆ 内置红外发射放大驱动电路 ◆ 内部上电复位电路(POR) ◆ 内置低电压检测（LVD），用于欠压复位（BOR）了解更多
HS23P4060	2.2~3.6V	8MHz±1.0%	4K*16	512	14	1024*8	T/M-KEY	SOP16
产品简介： HS23P4060是接纳高速低功耗CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包括一个4K16-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)，和一个1K8-bit的多次可编程电存储器(MTP)，内置了红外学习电路。 CPU特性： ◆ 宽事情电压规模：2.2V~3.6V （8M 2分频），MTP烧写和擦除是电压2.5v以上。 ◆ 事情温度规模：-20℃~80℃ ◆ 事情频率规模：内置RC 8MHz±2% 系统时钟源可配置选择：Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16、Fosc/32 ◆ 4K16-bit片内ROM ◆ 1K8-bit片内MTP ◆ 可直接、间接寻址 ◆ 1个16位准时器TC0，做PWM、Buzzer时8位有效。 ◆ 1个16位基本准时器T1 ◆ 内置上电复位时间PWRT ◆ 内置WDT看门狗 ◆ 内置可校准IRC振荡器(8MHZ) ◆ 一个宁静位（代码寄存器中）�；こ绦虿槐欢脸� ◆ 512*8bits片内寄存器组（SRAM，一般寄存器） ◆ 3组双向I/O端口 ◆ 8级用于子程序嵌套的货仓 ◆ 节能模式（SLEEP模式） ◆ 6种可用中断：TC0、T0、外中断、P0_P1端口变革中断、P54端口变革中断、P50端口变革中断 ◆ 内置红外发射放大驱动电路 ◆ 内部上电复位电路(POR) ◆ 内置低电压检测（LVD），用于欠压复位（BOR）了解更多

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