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多功效型电路

Part No.	VDD	Inbuilt RC	ROM	RAM	I/O	EEPROM	Key type	Package
HS23P36	2.2~3.6V	8MHz±1.0%	8K*16	512*8	14	--	T/M-KEY	SOP16
产品简介： HS23P36是接纳高速低功耗CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包括一个16K16-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)，内置了红外学习电路。 CPU特性： ◆ 宽事情电压规模：2.2V~3.6V （8M 2分频）。 ◆ 事情温度规模：-20℃~80℃ ◆ 事情频率规模：内置RC 8MHz±2% 系统时钟源可配置选择：Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16 ◆ 16K16-bit片内ROM ◆ 可直接、间接寻址 ◆ 1个16位准时器TC0，做PWM、Buzzer时8位有效。 ◆ 1个16位基本准时器T1 ◆ 内置上电复位时间PWRT ◆ 内置WDT看门狗 ◆ 内置可校准IRC振荡器(8MHZ) ◆ 一个宁静位（代码寄存器中）�；こ绦虿槐欢脸� ◆ 512*8bits片内寄存器组（SRAM，一般寄存器） ◆ 3组双向I/O端口 ◆ 8级用于子程序嵌套的货仓 ◆ 节能模式（SLEEP模式） ◆ 6种可用中断：TC0、T0、外中断、P0_P1端口变革中断、P54端口变革中断、P50端口变革中断 ◆ 内置红外发射放大驱动电路 ◆ 内部上电复位电路(POR) ◆ 内置低电压检测（LVD），用于欠压复位（BOR）了解更多
HS23P46	2.2~3.6V	8MHz±1.0%	16K*16	512*8	14	--	T/M-KEY	SOP16
产品简介： HS23P46 是接纳高速低功耗 CMOS 工艺制造的 8 位单片机，它内部包括一个 16K 16bits 的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。 CPU特性： ◆ 宽事情电压规模：2.0V~3.6V(8M ,2 分频) ◆ 低功耗：1.5uA ◆ 事情温度规模：-20℃~80℃ ◆ 事情频率规模： ◆ 内置 RC 8MHz±1.5% ◆ 系统时钟源可配置选择：Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16 ◆ 16K 16bits 片内 ROM ◆ 1 个 16 位准时器，做 PWM、Buzzer 及外部计数时 8 位有效。 ◆ TC0：外部事件计数器/PWM0/ Buzzer 输出。 ◆ 1 个 16 位基本准时器 ◆ 3 组标准双向 I/O 端口 ◆ 8 级用于子程序嵌套的货仓 ◆ 2 个内部中断：TC0、T0 ◆ 4 个外部中断：INT0，P0_P1，P5.0，P5.4 ◆ 内部上电复位电路（POR） ◆ 内置低电压检测（LVD），用于欠压复位（BOR）了解更多
HS23P56*	2.2~3.6V	8MHz±1.0%	32K*16	512*8	14	--	T/M-KEY	SOP16
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HS26F36	2.0~5.5V	12MHz±1.0%	8K*16	384*8	14	256*8	T/M-KEY	SOP16
产品简介： HS26F36是一款接纳低耗高速CMOS工艺制造的全集成AD型触控芯片，它包括一个8K Word ROM，256 Byte的EEPROM，内部集成了一个12位ADC，触摸按键�？�，且有着富厚的通讯接口。IO端口既可以配置为普通的IO口，同时可通过软件配置为AD采样口以及触控按键脚，在不增加更多IO口的基础上实现越发富厚的功效。 CPU特性： ■事情电压2.0~5.5v(12M主频) ■ 事情温度规模：-40℃~85℃ ■ 8K Word ROM ■ 256 Byte EEPROM ■ 384 Byte RAM ■ 最大14个IO口 ■ 最大11通道触摸按键 ■ 最大8通道的12位AD ■ 所有端口驱动可选 ■ 6路12位PWM，可配置为2组带死区控制的PWM ■ 集成端口比较器，可比较端口电压 ■ 集成一个增益可调运放，可放大端口信号 ■ 可配置内部高速，内部低速，外部高速，外部低速的系统时钟, ■ 内部高速最大24Mhz ■ 内置WDT准时器 ■ 包括端口变革叫醒及准时器溢出叫醒 ■ 包括高速，低速，绿色，休眠四种模式 ■ 包括上电复位，掉电复位（可�。� 了解更多

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